Сибирская государственная автомобильно-дорожная академия
Кафедра АПП и Э
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ
“РАСЧЕТ ТРАНЗИСТОРНОГО УСИЛИТЕЛЯ
ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ”
по дисциплине: “Электротехника ”
Вариант-17
Выполнил: ст. гр. 31АП
Цигулев С.В.
Проверил: Денисов В.П.
1. Основные понятия
2. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с ОЭ
3. Задание на работу
4. Порядок расчета транзисторного усилителя по схеме с ОЭ
Библиографический список
1. Основные понятия
Усилители являются одним из самых распространенных электронных устройств, применяемых в системах автоматики и радиосхемах. Усилители подразделяются на усилители предварительные (усилители напряжения) и усилители мощности. Предварительные транзисторные усилители, как и ламповые, состоят из одного или нескольких каскадов усиления. При этом все каскады усилителя обладают общими свойствами, различие между ними может быть только количественное: разные токи, напряжения, различные значения резисторов, конденсаторов и т. п.
Для каскадов предварительного усилителя наиболее распространены резистивныесхемы (с реостатно-емкостной связью). В зависимости от способа подачи входного сигнала и получения выходного сигнала усилительные схемы получили следующие названия:
1) с общей базой ОБ (рис. 1, а);
2) с общим коллектором ОК (эмиттерный повторитель) (рис. 1, б);
3) с общим эмиттером - ОЭ (рис. 1, в).
Наиболее распространенной является схема с ОЭ. Схема с ОБ в предварительных усилителях встречается редко. Эмиттерный повторитель обладает наибольшим из всех трех схем входным и наименьший выходным сопротивлениями, поэтому его применяют при работе с высокоомными преобразователями в качестве первого каскада усилителя, а также для согласования с низкоомным нагрузочным резистором. В табл. 1 дается сопоставление различных схем включения транзисторов.
Таблица 1
2. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с ОЭ
Существует множество вариантов выполнения схемы усилительного каскада на транзисторе ОЭ. Это обусловлено главным образом особенностями задания режима покоя каскада. Особенности усилительных каскадов и рассмотрим на примере схемы рисунок 2, получившей наибольшее применение при реализации каскада на дискретных компонентах.
Основными элементами схемы являются источник питания
, управляемый элемент - транзистор и резистор . Эти элементы образуют главную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания управляемого по цепи базы коллекторного тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. Остальные элементы каскада выполняют вспомогательную роль. Конденсаторы , являются разделительными. Конденсатор исключает шунтирование входной цепи каскада цепью источника входного сигнала по постоянному току, что позволяет, во-первых, исключить протекание постоянного тока через источник входного сигнала по цепи → → и, во-вторых, обеспечить независимость от внутреннего сопротивления этого источника напряжения на базе в режиме покоя. Функция конденсатора сводится к пропусканию в цепь нагрузки переменной составляющей напряжения и задержанию постоянной составляющей.
Резисторы
и используются для задания режима покоя каскада. Поскольку биполярный транзистор управляется током, ток покоя управляемого элемента (в данном случае ток ) создается заданием соответствующей величины тока базы покоя . Резистор предназначен для создания цепи протекания тока . Совместно с резистор обеспечивает исходное напряжение на базе относительно зажима ”+” источника питания.Резистор
является элементом отрицательной обратной связи, предназначенным для стабилизации режима покоя каскада при изменении температуры. Температурная зависимость параметров режима покоя обусловливается зависимостью коллекторного тока покоя от температуры. Основными причинами такой зависимости являются изменения от температуры начального тока коллектора , напряжения и коэффициента . Температурная нестабильность указанных параметров приводит к прямой зависимости тока от температуры. При отсутствии мер по стабилизации тока , его температурные изменения вызывают изменение режима покоя каскада, что может привести, как будет показано далее, к режиму работы каскада в нелинейной области характеристик транзистора и искажению формы кривой выходного сигнала. Вероятность появления искажений повышается с увеличением амплитуды выходного сигнала.Проявление отрицательной обратной связи и ее стабилизирующего действия на ток
Транзистор, в схему включают так, что один из его выводов является входным, второй – выходным, а третий – общим для входной и выходной цепей. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: ОБ, ОЭ и ОК. Для транзистора n-р-n в схемах включения изменяются лишь полярности напряжений и направление токов. При любой схеме включения транзистора, полярность включения источников питания должна быть выбрана такой, чтоб эмиттерный переход был включен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном.
Статические характеристики биполярных транзисторов
Статическим режимом работы транзистора называется режим при отсутствии нагрузки в выходной цепи.
Статическими характеристиками транзисторов называют графически выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи (входные ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора.
Характеристики транзистора, включенного по схеме об
IЭ = f(UЭБ) при UКБ = const (а).
IК = f(UКБ) при IЭ = const (б).
Статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме ОБ. Выходные ВАХ имеют три характерные области: 1 – сильная зависимость Iк от UКБ; 2 – слабая зависимость Iк от UКБ; 3 – пробой коллекторного перехода. Особенностью характеристик в области 2 является их небольшой подъем при увеличении напряжения UКБ.
Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ:
Входной характеристикой является зависимость:
IБ = f(UБЭ) при UКЭ = const (б).
Выходной характеристикой является зависимость:
IК = f(UКЭ) при IБ = const (а).
Режим работы биполярного транзистора
Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное.
Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода (оба р-n- перехода закрыты).
Если же на обоих переходах напряжение прямое (оба р-n- перехода открыты), то транзистор работает в режиме насыщения. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причем транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы - усиление, генерация.
Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Наибольшее применение находит схема включения транзистора по схеме с общим эмиттером. Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляемый элемент – транзистор VT и резистор Rк. Эти элементы образуют выходную цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания управляемого тока создается усиленное переменное напряжение на выходе схемы. Другие элементы схемы выполняют вспомогательную роль. Конденсатор Ср является разделительным. При отсутствии этого конденсатора в цепи источника входного сигнала создавался бы постоянный ток от источника питания Ек.
Резистор RБ, включенный в цепь базы, обеспечивает работу транзистора при отсутствии входного сигнала. Режим покоя обеспечивается током базы покоя IБ = Ек/RБ. С помощью резистора Rк создается выходное напряжение. Rк выполняет функцию создания изменяющегося напряжения в выходной цепи за счет протекания в ней тока, управляемого по цепи базы.
Для коллекторной цепи усилительного каскада можно записать следующее уравнение электрического состояния:
Ек = Uкэ + IкRк,
сумма падения напряжения на резисторе Rк и напряжения коллектор-эмиттер Uкэ транзистора всегда равна постоянной величине – ЭДС источника питания Ек.
Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника постоянного напряжения Ек в энергию переменного напряжения в выходной цепи за счет изменения сопротивления управляемого элемента (транзистора) по закону, задаваемого входным сигналом.
5)Что такое полевой транзистор? Какие виды бывают?
Полевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор, в котором ре-
гулирование тока осуществляется изменением проводимости проводящего
канала с помощью поперечного электрического поля. В отличие от биполяр-
ного ток полевого транзистора обусловлен потоком основных носителей.
Электроды полевого транзистора называют истоком (И), стоком (С) и
затвором (З). Управляющее напряжение прикладывается между затвором и ис-
током. От напряжения между затвором и истоком зависит проводимость кана-
ла, следовательно, и величина тока. Таким образом, полевой транзистор можно
рассматривать как источник тока, управляемый напряжением затвор-исток. Ес-
ли амплитуда изменения управляющего сигнала достаточно велика, сопротив-
ление канала может изменяться в очень больших пределах. В этом случае поле-
вой транзистор можно использовать в качестве электронного ключа.
По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две группы:
С управляющим p–n-переходом;
С металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком.
Транзисторы второго вида называют МДП-транзисторами (металл –
диэлектрик – полупроводник). В большинстве случаев диэлектриком является
двуокись кремния SiO2, поэтому обычно используется название МОП-
транзисторы (металл – окисел – полупроводник). В современных МОП-
транзисторах для изготовления затвора часто используется поликристаллический
кремний. Однако название МОП-транзистор используют и для таких приборов.
Проводимость канала полевого транзистора может быть электронной
или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то транзистор
называют n-канальным. Транзисторы с каналами, имеющими дырочную про-
водимость, называют p-канальными. В МОП- транзисторах канал может быть
обеднён носителями или обогащён ими. Таким образом, понятие «полевой
транзистор» объединяет шесть различных видов полупроводниковых прибо-
МОП-транзисторы находят широкое применение в современной электро-
нике. В ряде областей, в том числе в цифровой электронике, они почти полно-
стью вытеснили биполярные транзисторы. Это объясняется следующими при-229
чинами. Во-первых, полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивле-
ние и обеспечивают малое потребление энергии. Во-вторых, МОП-транзисторы
занимают на кристалле интегральной схемы значительно меньшую площадь,
чем биполярные. Поэтому плотность компоновки элементов в МОП-
интегральных схемах значительно выше. В-третьих, технологии производства
интегральных схем на МОП-транзисторах требуют меньшего числа операций,
чем технологии изготовления ИС на биполярных транзисторах.
6)Что такое стабилитрон? Объясните принцип его работы. Нарисуйте его вольт-амперные характеристики.
Стабилитронами называют полупроводниковые диоды, использующие особенность обратной ветви вольтамперной характеристики на участке пробоя изменяться в широком диапазоне изменения токов при сравнительно небольшом отклонении напряжения. Это свойство широко используется при создании специальных устройств – стабилизаторов напряжения.
Напряжение пробоя стабилитрона зависит от ширины р-n -перехода, которая определяется удельным сопротивлением материала полупроводника. Поэтому существует определенная зависимость пробивного напряжения (т. е. напряжения стабилизации) от концентрации примесей.
Низковольтные стабилитроны выполняют на основе сильно легированного кремния. Ширина р-n -перехода в этом случае получается очень маленькой, а напряженность электрического поля потенциального барьера – очень большой, что создает условия для возникновения туннельного пробоя. При большой ширине р-n -перехода пробой носит лавинный характер.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона представлена на рис. 6.1 Рабочий ток стабилитрона (его обратный ток) не должен превышать максимально допустимого значения во избежание перегрева полупроводниковой структуры и выхода его из строя.
Рис.
6.1. Конструкция корпуса (а), вольт-амперная
характеристика и условное графическое
обозначение стабилитрона
Существенной особенностью стабилитрона является зависимость его напряжения стабилизации от температуры. В сильно легированных полупроводниках вероятность туннельного пробоя с увеличением температуры возрастает. Поэтому напряжение стабилизации у таких стабилитронов при нагревании уменьшается, т. е. они имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН)
|
|
.В слабо легированных полупроводниках при увеличении температуры уменьшается длина свободного пробега носителей, что приводит к увеличению порогового значения напряжения, при котором начинается лавинный пробой. Такие стабилитроны имеют положительный ТКН. (рис. 6.2).
Рис.
6.2. Температурная зависимость вольт-амперной
характеристика стабилитрона
Для устранения этого недостатка и создания термокомпенсированных стабилитронов последовательно в цепь стабилитрона включают обычные диоды в прямом направлении. Как известно, у обычных диодов в прямом направлении падение напряжения на р-n -переходе при нагревании уменьшается. И если последовательно со стабилитроном (рис. 6.3) включить диодов в прямом направлении, где , (– изменение прямого падения напряжения на диоде при нагревании отдо), то можно почти полностью компенсировать температурную погрешность стабилитрона.
Рис.
6.3. Термокомпенсация стабилитрона
Основные параметры стабилитронов:
Предельные параметры стабилитронов:
Название полупроводникового прибора транзистор образовано из двух слов: transfer – передача + resist – сопротивление. Потому что его действительно можно представить в виде некоторого сопротивления, которое будет регулироваться напряжением одного электрода. Транзистор иногда еще называют полупроводниковым триодом.
Создан первый биполярный транзистор был в 1947 году, а в 1956 году за его изобретение трое ученых были удостоены нобелевской премии по физике.
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, который состоит из трех полупроводников с чередующимся типом примесной проводимости. К каждому слою подключен и выведен электрод. В биполярном транзисторе используются одновременно заряды, носители которых электроны (n - “ negative ”) и дырки (p – “ positive ”), то есть носители двух типов, отсюда и образование приставки названия «би» - два.
Транзисторы различаются по типу чередования слоев:
P n p -транзистор (прямая проводимость);
Npn- транзистор (обратная проводимость).
База (Б) – это электрод, который подключен к центральному слою биполярного транзистора. Электроды от внешних слоев именуются эмиттер (Э) и коллектор (К).
Рисунок 1 – Устройство биполярного транзистора
На схемах обозначаются « VT », в старой русскоязычной документации можно встретить обозначения «Т», «ПП» и «ПТ». Изображаются биполярные транзисторы на электрических схемах, в зависимости от чередования проводимости полупроводников, следующим образом:
Рисунок 2 – Обозначение биполярных транзисторов
На рисунке 1, изображенном выше, отличие между коллектором и эмиттером не видны. Если посмотреть на упрощенное представление транзистора в разрезе, то видно, что площадь p - n перехода коллектора больше чем у эмиттера.
Рисунок 3 – Транзистор в разрезе
База изготовляется из полупроводника со слабой проводимостью, то есть сопротивление материала велико. Обязательное условие – тонкий слой базы для возможности возникновения транзисторного эффекта. Так как площадь контакта p - n перехода у коллектора и эмиттера разные, то менять полярность подключения нельзя. Эта характерность относит транзистор к несимметричным устройствам.
Биполярный транзистор имеет две ВАХ (вольт амперные характеристики): входную и выходную.
Входная ВАХ – это зависимость тока базы (I Б ) от напряжения база-эмиттер (U БЭ ).
Рисунок 4 – Входная вольтамперная характеристика биполярного транзистора
Выходная ВАХ – это зависимость тока коллектора (I К ) от напряжения коллектор-эмиттер (U КЭ ).
Рисунок 5 – Выходная ВАХ транзистора
Принцип работы биполярного транзистора рассмотрим на npn типе, для pnp аналогично, только рассматриваются не электроны, а дырки. Транзистор имеет два p-n перехода . В активном режиме работы один из них подключен с прямым смещением, а другой – обратным. Когда переход ЭБ открыт, то электроны с эмиттера легко перемещаются в базу (происходит рекомбинация). Но, как говорилось ранее, слой базы тонкий и проводимость ее мала, по этому часть электронов успевает переместиться к переходу база-коллектор. Электрическое поле помогает преодолеть (усиливает) барьер перехода слоев, так как электроны здесь неосновные носители. При увеличении тока базы, переход эмиттер-база откроется больше и с эмиттера в коллектор сможет проскочить больше электронов. Ток коллектора пропорционален току базы и при малом изменении последнего (управляющий), коллекторный ток значительно меняется. Именно так происходит усиления сигнала в биполярном транзисторе.
Рисунок 6 – Активный режим работы транзистора
Смотря на рисунок можно объяснить принцип действия транзистора чуть проще. Представьте себе, что КЭ – это водопроводная труба, а Б – кран, с помощью которого Вы можете управлять потоком воды. То есть, чем больше ток вы подадите на базу, тем больше получите на выходе.
Значение коллекторного тока почти равно току эмиттера, исключая потери при рекомбинации в базе, которая и образовывает ток базы, таким образом справедлива формула:
І Э =І Б +І К.
Основные параметры транзистора:
Коэффициент усиления по току – отношение действующего значения коллекторного тока к току базы.
Входное сопротивление – следуя закону Ома оно будет равно отношению напряжения эмиттер-база U ЭБ к управляющему току I Б .
Коэффициент усиления напряжения – параметр находится отношением выходного напряжения U ЭК к входному U БЭ .
Частотная характеристика описывает способность работы транзистора до определенной, граничной частоты входного сигнала. После превышения предельной частоты физические процессы в транзисторе не будут успевать происходить и его усилительные способности сведутся на нет.
Схемы включения биполярных транзисторов
Для подключения транзистора нам доступны только его три вывода (электрода). По этому для его нормальной работы требуются два источника питания. Один электрод транзистора будет подключаться к двум источникам одновременно. Следовательно, существуют 3 схемы подключения биполярного транзистора: ОЭ – с общим эмиттером, ОБ – общей базой, ОК – общим коллектором. Каждая обладает как преимуществами, так и недостатками, в зависимости от области применения и требуемых характеристик делают выбор подключения.
Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) характеризуется наибольшим усилением тока и напряжения, соответственно и мощности. При данном подключении происходит смещение выходного переменного напряжения на 180 электрических градусов относительно входного. Основной недостаток – это низкая частотная характеристика, то есть малое значение граничной частоты, что не дает возможность использовать при высокочастотном входном сигнале.
(ОБ) обеспечивает отличную частотную характеристику. Но не дает такого большого усиления сигнала по напряжению как с ОЭ. А усиление по току не происходит совсем, поэтому данную схему часто называют токовый повторитель, потому что она имеет свойство стабилизации тока.
Схема с общим коллектором (ОК) имеет практически такое же усиление по току как и с ОЭ, а вот усиление по напряжению почти равно 1 (чуть меньше). Смещение напряжения не характерно для данной схемы подключения. Ее еще называю эмиттерный повторитель, так как напряжение на выходе (U ЭБ ) соответствуют входному напряжению.
Применение транзисторов:
Усилительные схемы;
Генераторы сигналов;
Электронные ключи.
Усилитель с общим эмиттером раньше являлся базовой схемой всех усилительных устройств.
В прошлой статье мы с вами говорили о самой простой схеме смещения транзистора. Эта схема (рисунок ниже) зависит от , а он в свою очередь зависит от температуры, что не есть хорошо. В результате на выходе схемы могут появиться искажения усиливаемого сигнала.
Чтобы такого не произошло, в эту схему добавляют еще парочку и в результате получается схема с 4-мя резисторами:
Резистор между базой и эмиттером назовем R бэ , а резистор, соединенный с эмиттером, назовем R э . Теперь, конечно же, главный вопрос: «Зачем они нужны в схеме?»
Начнем, пожалуй, с R э .
Как вы помните, в предыдущей схеме его не было. Итак, давайте предположим, что по цепи +Uпит—->R к ——> коллектор—> эмиттер—>R э —-> земля бежит электрический ток, с силой в несколько миллиампер (если не учитывать крохотный ток базы, так как I э = I к + I б ) Грубо говоря, у нас получается вот такая цепь:
Следовательно, на каждом резисторе у нас будет падать какое-то напряжение. Его величина будет зависеть от силы тока в цепи, а также от номинала самого резистора.
Чуток упростим схемку:
R кэ — это сопротивление перехода коллектор-эмиттер. Как вы знаете, оно в основном зависит от базового тока.
В результате, у нас получается простой делитель напряжения , где
Мы видим, что на эмиттере уже НЕ БУДЕТ напряжения в ноль Вольт, как это было в прошлой схеме. Напряжение на эмиттере уже будет равняться падению напряжения на резисторе R э .
А чему равняется падение напряжения на R э ? Вспоминаем закон Ома и высчитываем:
Как мы видим из формулы, напряжение на эмиттере будет равняться произведению силы тока в цепи на номинал сопротивления резистора R э . С этим вроде как разобрались. Для чего вся эта канитель, мы разберем чуть ниже.
Какую же функцию выполняют резисторы R б и R бэ ?
Именно эти два резистора представляют из себя опять же простой делитель напряжения . Они задают определенное напряжение на базу, которое будет меняться, если только поменяется +Uпит , что бывает крайне редко. В остальных случаях напряжение на базе будет стоять мертво.
Вернемся к R э.
Оказывается, он выполняет самую главную роль в этой схеме.
Предположим, у нас из-за нагрева транзистора начинает увеличиваться ток в этой цепи.
Теперь разберем поэтапно, что происходит после этого.
а) если увеличивается ток в этой цепи, то следовательно увеличивается и падение напряжения на резисторе R э .
б) падение напряжения на резисторе R э — это и есть напряжение на эмиттере U э . Следовательно, из-за увеличения силы тока в цепи U э стало чуток больше.
в) на базе у нас фиксированное напряжение U б , образованное делителем из резисторов R б и R бэ
г) напряжение между базой эмиттером высчитывается по формуле U бэ = U б — U э . Следовательно, U бэ станет меньше, так как U э увеличилось из-за увеличенной силы тока, которая увеличилась из-за нагрева транзистора.
д) Раз U бэ уменьшилось, значит и сила тока I б , проходящая через базу-эмиттер тоже уменьшилась.
е) Выводим из формулы ниже I к
I к =β х I б
Следовательно, при уменьшении базового тока, уменьшается и коллекторный ток;-) Режим работы схемы приходит в изначальное состояние. В результате схема у нас получилась с отрицательной обратной связью, в роли которой выступил резистор R э . Забегая вперед, скажу, что О трицательная О братная С вязь (ООС) стабилизирует схему, а положительная наоборот приводит к полному хаосу, но тоже иногда используется в электронике.
Расчет усилительного каскада
1) Первым делом находим из даташита максимально допустимую рассеиваемую мощность, которую транзистор может рассеять на себе в окружающую среду. Для моего транзистора это значение равняется 150 миллиВатт. Мы не будем выжимать из нашего транзистора все соки, поэтому уменьшим нашу рассеиваемую мощность, умножив на коэффициент 0,8:
P рас = 150х0,8=120 милливатт.
2) Определим напряжение на U кэ . Оно должно равняться половине напряжения Uпит.
U кэ = Uпит / 2 = 12/2=6 Вольт.
3) Определяем ток коллектора:
I к = P рас / U кэ = 120×10 -3 / 6 = 20 миллиампер.
4) Так как половина напряжения упала на коллекторе-эмиттере U кэ , то еще половина должна упасть на резисторах. В нашем случае 6 Вольт падают на резисторах R к и R э . То есть получаем:
R к + R э = (Uпит / 2) / I к = 6 / 20х10 -3 = 300 Ом.
R к + R э = 300 , а R к =10R э, так как K U = R к / R э , а мы взяли K U =10 ,
то составляем небольшое уравнение:
10R э + R э = 300
11R э = 300
R э = 300 / 11 = 27 Ом
R к = 27х10=270 Ом
5) Определим ток базы I базы из формулы:
Коэффициент бета мы замеряли в прошлом примере. Он у нас получился около 140.
Значит,
I б = I к / β = 20х10 -3 /140 = 0,14 миллиампер
6) Ток делителя напряжения I дел , образованный резисторами R б и R бэ , в основном выбирают так, чтобы он был в 10 раз больше, чем базовый ток I б :
I дел = 10I б = 10х0,14=1,4 миллиампер.
7) Находим напряжение на эмиттере по формуле:
U э = I к R э = 20х10 -3 х 27 = 0,54 Вольта
8) Определяем напряжение на базе:
U б = U бэ + U э
Давайте возьмем среднее значение падения напряжения на базе-эмиттер U бэ = 0,66 Вольт . Как вы помните — это падение напряжения на P-N переходе.
Следовательно, U б =0,66 + 0,54 = 1,2 Вольта . Именно такое напряжение будет теперь находиться у нас на базе.
9) Ну а теперь, зная напряжение на базе (оно равняется 1,2 Вольта), мы можем рассчитать номинал самих резисторов.
Для удобства расчетов прилагаю кусочек схемы каскада:
Итак, отсюда нам надо найти номиналы резисторов. Из формулы закона Ома высчитываем значение каждого резистора.
Для удобства пусть у нас падение напряжения на R б называется U 1 , а падение напряжения на R бэ будет U 2 .
Используя закон Ома, находим значение сопротивлений каждого резистора.
R б = U 1 / I дел = 10,8 / 1,4х10 -3 = 7,7 КилоОм . Берем из ближайшего ряда 8,2 КилоОма
R бэ = U 2 / I дел = 1,2 / 1,4х10 -3 = 860 Ом . Берем из ряда 820 Ом.
В результате у нас будут вот такие номиналы на схеме:
Проверка работы схемы в железе
Одной теорией и расчетами сыт не будешь, поэтому собираем схему в реале и проверяем ее в деле. У меня получилась вот такая схемка:
Итак, беру свой и цепляюсь щупами на вход и выход схемы. Красная осциллограмма — это входной сигнал, желтая осциллограмма — это выходной усиленный сигнал.
Первым делом подаю синусоидальный сигнал с помощью своего китайского генератора частоты :
Как вы видите, сигнал усилился почти в 10 раз, как и предполагалось, так как наш коэффициент усиления был равен 10. Как я уже говорил, усиленный сигнал по схеме с ОЭ находится в противофазе, то есть сдвинут на 180 градусов.
Давайте подадим еще треугольный сигнал:
Вроде бы гуд. Если присмотреться, то есть небольшие искажения. Нелинейность входной характеристики транзистора дает о себе знать.
Если вспомнить осциллограмму схемы с двумя резисторами
то можно увидеть существенную разницу в усилении треугольного сигнала
Заключение
Схема с ОЭ во времена пика популярности биполярных транзисторов использовалась как самая ходовая. И этому есть свое объяснение:
Во-первых , эта схема усиливает как по току, так и по напряжению, а следовательно и по мощности, так как P=UI .
Во-вторых , ее входное сопротивление намного больше, чем выходное, что делает эту схему отличной малопотребляемой нагрузкой и отличным источником сигнала для следующих за ней нагрузок.
Ну а теперь немного минусов:
1) схема потребляет небольшой ток, пока находится в режиме ожидания. Это значит, питать ее долго от батареек не имеет смысла.
2) она уже морально устарела в наш век микроэлектроники. Для того, чтобы собрать усилитель, проще купить готовую микросхему и сделать на ее базе
Схема с общим эмиттером
Схема с общим эмиттером (ОЭ) представлена на рис. 1.11. Транзистор п-р-п в этой схеме работает так же, как и в схеме с ОБ. Заметим лишь, что общепринятое направление токов (от +Е К – источника напряжения), обозначенное на рис. 1.11, а, противоположно направлению движения электронов. Характерным признаком схемы с ОЭ является то, что нагрузка располагается в коллекторной цепи (рис. 1.11,6).
Рис. 1.11. Схема включения транзистора с общим эмиттером (а); типовое изображение в схемах (б)
Так же как и для схемы с ОБ, входным сигналом в этой схеме является напряжение между базой и эмиттером, а выходными величинами – коллекторный ток I к и напряжение на нагрузке U вых = I к R н Транзистор в схеме с ОЭ характеризуется коэффициентом передачи тока
имеющим значения β = 10... 100, который связан с коэффициентом α для схемы с ОБ соотношением:
Оценим значения коэффициентов усиления схемы с ОЭ (их обозначают индексом "Э").
Выходным током, как и в схеме с ОБ, является ток I к, протекающий но нагрузке, а входным током (в отличие от схемы с ОБ) – ток базы I Б; коэффициент усиления по току схемы с ОЭ равен
При α = 0,98 КIЭ = 0,98/(1 – 0,98) ≈ 50, т.е. нескольким десяткам, что многократно превосходит аналогичный коэффициент у схемы с ОБ.
Входное сопротивление в схеме с ОЭ также значительно выше, чем в схеме с ОБ, так как в схеме с ОЭ входным током является ток базы, а в схеме с ОБ – во много раз больший ток эмиттера (а именно в 1/(1 – α) ≈ β раз):
Величина входного сопротивления в схеме с ОЭ больше, чем в схеме с ОБ в ≈ β раз и составляет сотни ом.
Коэффициент усиления по напряжению в схеме с ОЭ соизмерим с таким же коэффициентом у схемы с ОБ:
По коэффициенту усиления по мощности схема с ОЭ за счет значительно большего коэффициента усиления по току также многократно превосходит схему с ОБ:
и зависит от коэффициента передачи тока β и отношения сопротивления нагрузки к входному сопротивлению.
Благодаря отмеченным свойствам, схема с ОЭ нашла очень широкое применение.
Входные и выходные характеристики схемы с общим эмиттером
Работу схемы обычно описывают с помощью входных и выходных характеристик транзистора в той или иной схеме включения. Для схемы с ОЭ входная характеристика – это зависимость входного тока от напряжения на входе схемы, т.е. I Б = f (UБЭ) при фиксированных значениях напряжения коллектор – эмиттер (U кэ = const).
Выходные характеристики – это зависимости выходного тока, т.е. тока коллектора, от падения напряжения между коллектором и эмиттером транзистора I к = f (и БЭ) при токе базы I Б = const.
Входная характеристика по существу повторяет вид характеристики диода при подаче прямого напряжения (рис. 1.12, б). С ростом напряжения U KЭ входная характеристика будет незначительно смещаться вправо.
Рис. 1.12. Выходные (а) и входная (б ) характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером
Вид выходных характеристик (рис. 1.12, а) резко различен в области малых (участок ОA) и относительно больших значений U кэ. Напомним, что для нормальной работы транзистора необходимо, чтобы на переход база–эмиттер подавалось прямое напряжение, а на переход база–коллектор – обратное. Поэтому, пока |1/кэ|< 1/БЭ, напряжение на коллекторном переходе оказывается прямым, что резко уменьшает ток I к. При |UКЭ| > U БЭ напряжение на коллекторном переходе UБK = UКЭ – U БЭ становится обратным и, следовательно, мало влияет на величину коллекторного тока, который определяется в основном током эмиттера. При таком напряжении все носители, инжектированные эмиттером в базу и прошедшие через область базы, устремляются к внешнему источнику. При напряжении UБЭ < 0 эмиттер носителей не инжектирует и ток базы I Б = 0, однако в коллекторной цепи протекает ток I К0 (самая нижняя выходная характеристика). Этот ток соответствует обратному току I 0 обычного р-n-перехода.
При работе транзистора изменяется его режим. Действительно, чем больше ток, протекающий через транзистор, тем больше падение напряжения на нагрузке, а следовательно, тем меньшее напряжение будет падать на самом транзисторе. Характеристики, представленные на рис. 1.12, а, б, описывают лишь статический режим работы схемы. Для оценки динамики и влияния нагрузки на работу схемы используют графоаналитический метод расчета на основе входных и выходных характеристик. Рассмотрим этот метод на примере входных и выходных характеристик схемы с ОЭ.
Проведем прямую через точку Eк, отложенную на оси абсцисс, и точку Е к /R н отложенную на оси ординат выходных характеристик транзистора. Полученная прямая называется нагрузочной. Точка Е к /R н этой прямой соответствует такому току, который мог бы течь через нагрузку, если транзистор замкнуть накоротко. Точка Е к соответствует другому крайнему случаю – цепь разомкнута, ток через нагрузку равен нулю, а напряжение Uкэ равно Е к. Точка р пересечения нагрузочной прямой со статической выходной характеристикой, соответствующей входному току I Б, определит рабочий режим схемы, т.е. ток в нагрузке I к, падение напряжения на ней U н = I к R н и падение напряжения (/кэ на самом транзисторе. На рис. 1.12, а точка р соответствует подаче в транзистор тока базы I Б = 1 мА. Нетрудно видеть, что подача тока базы I Б = 2 мА приводит к смещению рабочей точки в точку А и перераспределению напряжений между нагрузкой и транзистором.
Пример 1.1. Рассчитайте схему с ОЭ и R н =110 Ом при входном напряжении UБЭ = +0,1 В, напряжении питания Е к = +25 В, используя характеристики транзистора.
Решение. Найдем отношение E K/R н = 25/110 = 228 мА и, отложив найденную точку на оси I к и значение Е к = +25 В на оси Uкэ, проведем нагрузочную прямую.
По входной характеристике для напряжения 1/БЭ = 0,1 В определим входной ток I Б = 1 мЛ.
Точка пересечения р прямой с характеристикой, соответствующей I Б = 1 мА, определит ток I к = 150 мА.
Напряжение на нагрузке равно
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора
В заключение отметим, что режим, соответствующий точке А, называют режимом насыщения (при заданных значениях R н и Е к ток I к в точке А достигает наибольшего возможного значения). Режим, соответствующий точке В (входной сигнал равен нулю), а также точке С (входной сигнал отрицателен и запирает транзистор), называют режимом отсечки. Все промежуточные состояния транзистора с нагрузкой между точками А и В относятся к активному режиму его работы.
